监测方法

摘要

本发明揭露了一种监测方法，用于用于在线监测SiGe结构和STI界面性能。所述监测方法通过形成结面积相同的边缘型PN结和面积型PN结，量测出两者的漏电流，通过数据比对和分析得到SiGe结构和STI的界面的状态。这样，可以直接通过监测SiGe结构和STI的界面的漏电流来监测SiGe结构和STI的界面的状态。从而实现对线上产品的实时监测，无需等到问题产生再进行TEM切片来研究界面是否正常，大大提高了产品良率。

主权项

一种监测方法，用于在线监测SiGe结构和STI界面性能，所述监测方法包括：设计SiGe结构与N型阱形成的面积型PN结的版图；设计多个边缘型PN结并联结构，所述多个边缘型PN结的结面积之和与所述面积型PN结的结面积相同；在器件制造过程中在衬底上形成所述边缘型PN结和面积型PN结；在线测量所述边缘型PN结和面积型PN结的漏电流并记录；进行归一化计算，分别计算出面积型PN结归一化电流IL_AP和多个边缘型PN结归一化电流IL_EP；计算归一化电流之差ΔIL，ΔIL＝IL_AP‑IL_EP；进行IL_AP、IL_EP及ΔIL的数据分析，判断SiGe结构和STI的界面性能。