发明名称 互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板
摘要 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板;该互补型薄膜晶体管驱动背板的制作方法,包括:在衬底基板上设置下半导体层,并形成P型半导体有源层;在下半导体层上设置栅绝缘层;在栅绝缘层上设置下电极层,并形成P型晶体管栅极、N型晶体管源极和N型晶体管漏极;在下电极层上设置上半导体层,并形成像素电极和N型半导体有源层;在上半导体层上设置隔离绝缘保护层,并形成接触孔和保护单元;在隔离绝缘保护层上设置上电极层,并形成P型晶体管源极、P型晶体管漏极和N型晶体管栅极;在上电极层上设置像素定义层,并形成像素连接口。
申请公布号 CN103715147B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201310742725.3 申请日期 2013.12.27
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 任章淳
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L23/50(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李迪
主权项 一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:在衬底基板上设置下半导体层,并形成P型半导体有源层;在下半导体层上设置栅绝缘层;在栅绝缘层上设置下电极层,并形成P型晶体管栅极、N型晶体管源极和N型晶体管漏极;所述P型晶体管栅极位于所述P型半导体有源层的上方;利用氧化物半导体材料在下电极层上设置上半导体层,并通过构图工艺形成像素电极和N型半导体有源层;所述N型半导体有源层的两端分别与所述N型晶体管源极和N型晶体管漏极搭接;对所述像素电极区域对应的氧化物半导体材料进行等离子体处理;在上半导体层上设置隔离绝缘保护层,并形成保护单元和位于所述P型半导体有源层两端和所述像素电极对应区域的接触孔;在隔离绝缘保护层上设置上电极层,并形成P型晶体管源极、P型晶体管漏极和N型晶体管栅极;所述P型晶体管源极、P型晶体管漏极分别通过所述接触孔与所述P型半导体有源层的两端相连,所述N型晶体管栅极位于所述N型半导体有源层的上方;在上电极层上设置像素定义层,并形成像素连接口。其中,所述在衬底基板上设置下半导体层包括:在所述衬底基板上设置缓冲层;在所述缓冲层上设置非晶硅薄膜;对非晶硅薄膜进行脱氢处理;对非晶硅薄膜进行准分子激光退火处理,使非晶硅薄膜转变多晶硅薄膜,该多晶硅薄膜即为所述的下半导体层。
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