| 发明名称 | 一种防范STI-CMP划伤的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种防范STI‑CMP划伤的方法，包括步骤：第一步，将晶片有源区表面的HDP‑OX(高密度等离子体氧化硅)磨掉，这时候晶片表面会形成倒掉的尖角；第二步，进行SiN的研磨并将SiN磨去一定的厚度，在第一步和第二步之间加入高压清洗步骤以清除掉到的尖角，从而防止晶片表面划伤。与现有技术相比，高压清洗步骤可以及时冲走倒掉的尖角，达到清洗晶片表面的作用，从而防止了STI‑CMP划伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102543819B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201010578016.2 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李健;张炳一;胡骏 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种防范STI‑CMP划伤的方法，包括步骤：第一步，将晶片有源区表面的HDP‑OX(高密度等离子体氧化硅)磨掉，这时候晶片表面会形成倒掉的尖角；第二步，进行SiN的研磨并将SiN磨去400埃的厚度，其特征在于：在第一步和第二步之间加入高压清洗步骤以清除掉到的尖角，从而防止晶片表面划伤。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||