发明名称 一种太阳电池的生产工艺及其采用该工艺生产的太阳电池
摘要 本发明公开了一种太阳电池的生产工艺及其采用该工艺生产的太阳电池,所述生产工艺包括以下生产步骤:来料硅片检测‑硅片清洗‑表面制绒‑扩散制结‑预划片‑去磷硅玻璃‑等离子刻蚀‑镀减反射膜‑丝网印刷‑快速烧结‑测试分选。本发明在普通晶硅太阳电池的一般生产工艺中引入预划片工艺,即在现有生产工艺中的扩散制结工序之后对硅片进行预划片,然后再进行后续相应工序,这样,使硅片上预划有V形沟槽的表面也镀上一层钝化膜,从而对划片处PN结的边缘起到了有效的保护作用,使得生产的太阳电池经过切割后的条状电池的效率的损失大大降低,因而提升了线性聚光组件的效率,降低了其生产成本,使其同普通平板组件相比更具有竞争优势。
申请公布号 CN104201240B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201410432421.1 申请日期 2014.08.29
申请人 四川钟顺太阳能开发有限公司 发明人 黄忠;罗敏;帅麒;黄饶
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/047(2014.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 刘凯
主权项 一种太阳电池的生产工艺,包括以下生产步骤:来料硅片检测‑硅片清洗‑表面制绒‑扩散制结‑去磷硅玻璃‑等离子刻蚀‑镀减反射膜‑丝网印刷‑快速烧结‑测试分选,其特征在于:所述硅片在经过扩散制结后,在硅片的正面、后续需要将太阳电池片切割成条状太阳电池的对应处预先切割2~50μm深度的V形沟槽,所述V形沟槽的深度超过硅片上PN结所在位置,将经过预划片后的硅片再进行去磷硅玻璃,所述硅片的V形沟槽处表面经过预划片后的损伤层也通过去磷硅玻璃工艺进行处理,然后将硅片通过等离子刻蚀后进行镀减反射膜,在所述硅片上预划的V形沟槽表面通过镀减反射膜工艺形成一层钝化膜,所述钝化膜对硅片预划后断裂的PN结边缘部进行覆盖保护;经过预划片的太阳电池在后续进行切割成条状太阳电池时只需从与预划片相对应的背面切割太阳电池片厚度的1/3~2/3深的划片沟槽,然后进行裂片处理。
地址 610207 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区工业集中发展区三期内
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