一种深硅通孔刻蚀方法

摘要

本发明提供一种深孔硅刻蚀方法，将待处理硅片设置在等离子体处理室中，硅片表面包括图形化的掩膜层，通入第一反应气体对硅片进行刻蚀形成具有底切形貌的开口到第一深度。然后进入交替进行刻蚀和侧壁保护的主刻蚀阶段，在完成主刻蚀阶段后形成具有基本垂直侧壁形貌的侧壁。

主权项

一种深孔硅刻蚀方法，用于刻蚀硅基片，所述硅基片上包括一图形化的掩膜层，所述刻蚀方法包括第一刻蚀阶段，以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀硅基片形成第一深度(H1)的开口，所述开口两侧侧壁的间距从顶部向下逐渐减小，且在第一深度处具有第一侧壁间距(D21)，在第一刻蚀阶段结束后进入主刻蚀阶段，所述主刻蚀阶段包括交替进行的刻蚀和沉积步骤，在刻蚀步骤中通入刻蚀气体对硅基片进行刻蚀，在沉积步骤中通入氟碳化合物气体对刻蚀形成的开口侧壁进行保护,所述主刻蚀阶段，所述开口从所述第一深度刻蚀到第二深度，同时使所述第一深度处的第一侧壁间距增大到第二间距(D22)；所述图形化的掩膜层在第一刻蚀阶段具有第一关键尺寸，在完成主刻蚀阶段后所述掩膜层具有第二关键尺寸，所述第二关键尺寸大于所述第一关键尺寸。