发明名称 |
基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法 |
摘要 |
本发明一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法,通过将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描,提取芯片内所有缺陷的特征信息;将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库,获取每一个缺陷所对应的修正系数k,其中,该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k;统计芯片上所有经修正的缺陷数量之和,与所述芯片的控制标准值w相比较,判断芯片上的缺陷是否正常,其在以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下,引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常,并能快速发现有问题的机台,减少其对产品的持续影响,提高产品的良率和生产效率。 |
申请公布号 |
CN103646894B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201310630279.7 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
何理;许向辉;郭贤权;陈超 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陶金龙 |
主权项 |
一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S01:将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描,提取所述芯片内所有缺陷的特征信息;步骤S02:将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库,获取每一个缺陷所对应的修正系数k,其中,该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k;步骤S03:统计所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和,与所述芯片的控制标准值w相比较,判断芯片上的缺陷是否正常,其中,当所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和小于控制标准值w时,芯片上的缺陷正常,所述每一个缺陷经修正后的数量为1+k或者1*k,其中,k的范围为1~w。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |