透明导电电极及阵列基板的制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种透明导电电极及阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，在透明导电电极的制备过程中，可实现刻蚀无残留的目的；该透明导电电极的制备方法包括在基板上形成牺牲层，对牺牲层进行构图工艺处理，在除第一区域外的基板上形成第一图案；第一图案的远离基板的上表面的面积大于靠近基板的下表面的面积，以使得在形成透明导电薄膜后，在断面处露出所述第一图案；在形成有第一图案的基板上，形成透明导电薄膜；透明导电薄膜与第一图案的厚度比大于等于1:1.5，且透明导电薄膜与第一图案刻蚀的选择比大于等于1:20；采用湿法刻蚀对第一图案进行刻蚀，形成位于第一区域的透明导电电极。用于透明导电电极的制备。

主权项

一种透明导电电极的制备方法，包括：在基板上形成位于第一区域的透明导电电极；其特征在于，所述在基板上形成位于第一区域的透明导电电极包括：在基板上形成牺牲层，对所述牺牲层进行构图工艺处理，在除所述第一区域外的基板上形成第一图案；所述第一图案的远离所述基板的上表面的面积大于靠近所述基板的下表面的面积，以使得在形成透明导电薄膜后，在断面处露出所述第一图案；在形成有所述第一图案的基板上，形成所述透明导电薄膜；所述透明导电薄膜与所述第一图案的厚度比小于等于1:1.5，且所述透明导电薄膜与所述第一图案刻蚀的选择比小于等于1:20；采用湿法刻蚀对所述第一图案进行刻蚀，形成位于所述第一区域的所述透明导电电极；其中，所述透明导电薄膜与所述第一图案的厚度比在1:1.5～1:3之间；所述透明导电薄膜和所述第一图案的刻蚀选择比在1:20～1:200之间；所述第一图案的材料包括金属氮氧化物。