| 发明名称 | 硫属化物薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本揭露提供一种硫属化物薄膜的制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积工艺以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化工艺，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN105862009A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610081902.1 | 申请日期 | 2016.02.05 |
| 申请人 | 炬力奈米科技有限公司 | 发明人 | 叶昭辉;邱壬官 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张福根;冯志云 |
| 主权项 | 一种硫属化物薄膜的制造方法，包括：提供一基底于一腔室中；实行一第一原子层沉积工艺以形成一第一氧化物薄膜于该基底上方；以及实行一第一硫属化工艺，包括注入一第一硫属元素，以使该第一氧化物薄膜转变为一第一硫属化物薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||