发明名称 |
一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构,所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极,电容C1的另一端连接到电源V1的负极,MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端,MOSFET M2的源极连接到电源V1的负极,主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端,电容C2的另一端和电阻R1的另一端分别连接到电源V1的负极,MOSFET M3的漏极和MOSFET M的漏极分别连接到从绕组L2的两端,MOSFET M3的源极和MOSFET M4的源极分别连接到电源V1的负极,电源V1的负极接地。本实用新型的基于软开关的非隔离降压拓扑结构,在保持原buck拓扑的基础上通过软开关降低能量消耗、降低电磁干扰,利用增加开关频率实现电源的小型化,提高功率密度。 |
申请公布号 |
CN205490157U |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201620239516.6 |
申请日期 |
2016.03.25 |
申请人 |
北京普泰日盛新能源科技有限公司 |
发明人 |
石青 |
分类号 |
H02M3/335(2006.01)I;H02M1/44(2007.01)I;H02M1/00(2007.01)I |
主分类号 |
H02M3/335(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构,其特征在于:包括电源V1,电容C1和C2,负载R1,MOSFET M1、M2、M3、和M4,变压器K1以及变压器K1的主绕组L1、从绕组L2,所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极,电容C1的另一端连接到电源V1的负极,MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端,MOSFET M2的源极连接到电源V1的负极,主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端,电容C2的另一端和电阻R1的另一端分别连接到电源V1的负极,MOSFET M3的漏极和MOSFET M的漏极分别连接到从绕组L2的两端,MOSFET M3的源极和MOSFET M4的源极分别连接到电源V1的负极,电源V1的负极接地;在MOSFET M1、M2、M3、和M4的内部,漏极和源极之间均并接二极管,漏极连接二极管的阳极,源极连接二极管的阴极,MOSFET M1、M2、M3、和M4的栅极均连接驱动电路。 |
地址 |
100070 北京市丰台区富丰路2号707室 |