GaN基发光二极管、其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，第一N型GaN层生长在第一衬底上或第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及第一或第二N型GaN层上还连接有透明导电层；其制备方法为：在第一衬底上生长设定缓冲层，再依次生长形成前述结构层；其后在第二N型GaN层上连接透明导电层，或者在第二N型GaN层上连接第二衬底，而将第一衬底剥离，并在第一N型GaN层上连接透明导电层。本发明半导体材料层的厚度小，生长时间短，生产效率高，且与透明导电电极接触的N型GaN层无需重掺杂，降低因为前述结构层重掺杂而对光的吸收，产品良率和发光效率高。

主权项

一种GaN基发光二极管，其特征在于，它包括在选定缓冲层上顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层；其中，所述第一N型GaN层生长在第一衬底上，且第二N型GaN层上还连接有透明导电层，或者，所述第二N型GaN层连接在第二衬底上，且所述第一N型GaN层上还连接有透明导电层；所述第一N型GaN层为N型掺杂GaN层，且其掺杂浓度于临近P型GaN层处最大，所述P型GaN层为P型掺杂GaN层，且其掺杂浓度于临近第一N型GaN层处最大；所述第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层的总厚度在1μm以下。