两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法

摘要

本发明公开了一种两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法，包括步骤如下：(1)在硅片上生长薄膜层；(2)第一图形层的光刻，CD（关键尺寸）和overlay（套刻精度）的测量；(3)第一图形层的刻蚀；(4)第二图形层的光刻，CD和overlay的测量；(5)第二图形层的刻蚀，形成对称结构的图形；(6)对称结构图形CD的测量；(7)将上述对称图形的CD差异折算成第二图形层的overlay；(8)将上述折算后的第二图形层的overlay反馈到光刻机，以修正下一批次硅片的第二图形层的overlay，实现对上述对称图形刻蚀后CD的控制。本发明同时解决了因为光刻overlay不佳和刻蚀速率不同导致的刻蚀后对称图形CD不一致的问题。

主权项

一种两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在硅片上生长薄膜层；(2)第一图形层的光刻，关键尺寸和套刻精度的测量；(3)第一图形层的刻蚀，光刻胶去除；(4)第二图形层的光刻，关键尺寸和套刻精度的测量；(5)第二图形层的刻蚀，形成对称结构的图形；(6)对称结构图形的关键尺寸的测量；(7)将上述对称图形的关键尺寸差异折算成第二图形层的套刻精度；(8)将上述折算后的第二图形层的套刻精度反馈到第二图形层的光刻机，通过光刻机的套刻精度补正系统修正下一批次硅片的第二图形层的套刻精度，从而实现对上述对称图形的关键尺寸的控制。