| 发明名称 | 一种降低首片硅片铜小丘缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低首片硅片铜小丘缺陷的方法，包括机台和第一硅片，所述机台包括工艺腔室，预热腔室，装载端口，其特征在于，所述方法为：步骤一：机台空闲时，工艺腔室SDC(关机清洁)触发，使工艺腔室气氛接近制程；步骤二：工艺腔室SDC的同时，第一硅片停留在装载端口等待传输；步骤三：等待工艺腔室SDC结束，机械手将第一硅片传输至工艺腔室中。通过优化氮化硅薄膜工艺的传片方式：将“第一片硅片传入预热腔室等待工艺腔室SDC结束”，优化为“第一片硅片停留在装载端口里等待工艺腔室SDC结束”，以此减少首片硅片在预热腔室的等待时间，后续重复此类条件跑货，不再出现首片硅片铜hillock缺陷跳高的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103794534B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201310631819.3 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 顾梅梅;朱玉传;陈建维;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/677(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/677(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 竺路玲 |
| 主权项 | 一种降低首片硅片铜小丘缺陷的方法，包括机台和第一硅片，所述机台包括工艺腔室，预热腔室，装载端口，其特征在于，所述方法步骤为：步骤一：机台空闲时，工艺腔室SDC(关机清洁)触发，使工艺腔室气氛接近制程；步骤二：工艺腔室SDC(关机清洁)的同时，第一硅片停留在装载端口等待传输；步骤三：等待工艺腔室SDC(关机清洁)结束，机械手将第一硅片传输至工艺腔室中。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||