| 发明名称 | 判断干法去胶工艺稳定性和匹配性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种判断干法去胶工艺稳定性和匹配性的方法，属于集成电路领域。判断干法去胶工艺稳定性的方法包括：通过获取干法去胶工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；获取干法去胶工艺后硅光片热氧化膜的反射系数；基于自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和干法去胶工艺前后热氧化膜的反射系数，判断干法去胶工艺稳定性和匹配性。本发明中，通过膜厚信息实现了干法去胶工艺稳定性和匹配性的判断。 | ||
| 申请公布号 | CN103646896B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201310631435.1 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陶金龙 |
| 主权项 | 一种判断干法去胶工艺稳定性的方法，其特征在于，包括：获取干法去胶工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；获取干法去胶工艺后硅光片热氧化膜的反射系数；根据自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和干法去胶工艺后硅光片热氧化膜的反射系数，判断干法去胶工艺稳定性。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||