| 发明名称 | 固体摄像装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103620783B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201280030161.4 | 申请日期 | 2012.06.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 坂田祐辅;森三佳;广濑裕;益田洋司;栗山仁志;宫川良平 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H04N5/357(2006.01)I;H04N5/369(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种固体摄像装置，具备呈矩阵状而被配置的多个像素，所述固体摄像装置具备：半导体衬底；第一电极，被形成在所述半导体衬底的上方的所述像素内，且与相邻的所述像素电分离；光电转换膜，被形成在所述第一电极上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极，被形成在所述光电转换膜上；电荷积蓄区域，被形成在所述半导体衬底的所述像素内，且与对应的像素的所述第一电极电连接，积蓄由所述光电转换膜进行光电转换而得到的所述信号电荷；绝缘层，被设置在所述第一电极与所述电荷积蓄区域之间；复位栅极电极，被形成在所述像素内，且对所述电荷积蓄区域进行复位；放大晶体管，被形成在所述像素内，且对被积蓄在对应的像素的所述电荷积蓄区域中的所述信号电荷进行放大；以及由具有半导体特性的半导体材料构成的接触插头，被形成在所述像素内，且与所述电荷积蓄区域直接接触，并设置为贯穿所述绝缘层，用于将对应的像素的所述第一电极与所述电荷积蓄区域电连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||