静态随机存储器及其写入冗余度改善的方法

摘要

一种静态随机存储器，包括：硅基衬底；设置在硅基衬底内的浅沟槽隔离；NMOS器件；PMOS器件，在PMOS器件之源极区和漏极区中设置硅锗晶格结构；上拉晶体管，为PMOS半导体，上拉晶体管之源极区、漏极区内不设置硅锗晶格结构。本发明通过在PMOS器件的源极区、漏极区中设置硅锗晶格结构，增加所述PMOS器件沟道中的压应力，从而达到提高所述PMOS器件之空穴迁移率的效果；通过在所述上拉晶体管之源极区、漏极区内不设置所述硅锗晶格结构，使得所述上拉晶体管在沟道方向上的压应力减小，降低所述上拉晶体管的载流子迁移率，增大所述上拉晶体管的等效电阻，进而提高所述静态随机存储器写入冗余度。

主权项

一种静态随机存储器，其特征在于，所述静态随机存储器包括：硅基衬底，并在所述硅基衬底内间隔设置用于电气隔离的浅沟槽隔离；NMOS器件，设置在所述浅沟槽隔离之间，所述NMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上，所述NMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内，并在所述NMOS器件之源极区、漏极区不设置硅锗晶格结构；PMOS器件，设置在所述浅沟槽隔离之间，所述PMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上，所述PMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内，且在所述PMOS器件之源极区和漏极区中设置所述硅锗晶格结构；上拉晶体管，所述上拉晶体管为PMOS半导体，并设置在所述浅沟槽隔离之间，所述上拉晶体管之栅极设置在所述硅基衬底上，所述上拉晶体管之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内，并在所述上拉晶体管之源极区、漏极区不设置所述硅锗晶格结构。