发明名称 |
一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法,该软磁合金的分子式为Fe<sub>a</sub>Si<sub>b</sub>B<sub>c</sub>M<sub>d</sub>Cu<sub>e</sub>Nb<sub>f</sub>M’<sub>g</sub>,其中M为Al或Zn,M’选自Y、Gd或Er中的一种或几种,a、b、c、d、e、f、g为质量百分比,取值范围分别为:79≤a≤88.5,8≤b≤11,0.05≤c≤2,0.8≤d≤1.5,0.7≤e≤2.5,2≤f≤4,0.008≤g≤0.02。该软磁合金在兼具高磁导率、高Bs、低矫顽力和低损耗的基础上,通过采用廉价的Al或Zn部分取代铜、降低Nb的含量和掺杂微量稀土金属来降低生产成本,通过本发明公开的工艺简单的制备方法得到低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金。 |
申请公布号 |
CN105861958A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610355306.8 |
申请日期 |
2016.05.26 |
申请人 |
江苏奥玛德新材料科技有限公司 |
发明人 |
陈雨峰;朱昭峰 |
分类号 |
C22C45/02(2006.01)I;C21D1/26(2006.01)I;H01F1/153(2006.01)I |
主分类号 |
C22C45/02(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
李晓静 |
主权项 |
一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金,其特征在于:所述软磁合金的分子式为Fe<sub>a</sub>Si<sub>b</sub>B<sub>c</sub>M<sub>d</sub>Cu<sub>e</sub>Nb<sub>f</sub>M’<sub>g</sub>,其中M为Al或Zn,M’选自Y、Gd或Er中的一种或几种,a、b、c、d、e、f、g为质量百分比,取值范围分别为:79≤a≤88.5,8≤b≤11,0.05≤c≤2,0..8≤d≤1.5,0.7≤e≤2.5,2≤f≤4,0.008≤g≤0.02。 |
地址 |
224051 江苏省盐城市亭湖区新业路10号 |