| 发明名称 | 镶嵌结构的结构和形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的第一导电部件。该半导体器件也包括位于半导体衬底上方并且围绕第一导电部件的第一介电层。该半导体器件还包括位于第一导电部件上方的第二导电部件，并且第二导电部件延伸到第一导电部件内。此外，该半导体器件包括位于第一介电层上方并且围绕第二导电部件的第二介电层。本发明还涉及镶嵌结构的结构和形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105870102A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510027762.5 | 申请日期 | 2015.01.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 彭泰彥;吴佳典;郑价言 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一导电部件，位于所述半导体衬底上方；第一介电层，位于所述半导体衬底上方并且围绕所述第一导电部件；第二导电部件，位于所述第一导电部件上方，其中，所述第二导电部件延伸至所述第一导电部件内；以及第二介电层，位于所述第一介电层上方并且围绕所述第二导电部件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||