| 发明名称 | 发光二极管及其制备方法、发光器件 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管及其制备方法、发光器件。该发光二极管，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的功能层，所述功能层包括空穴传输层和电子传输层至少之一和发光层，所述空穴传输层和所述电子传输层至少之一包括钙钛矿结构的材料，所述钙钛矿结构的材料通式为ABX<sub>3</sub>，其中，A为RNH<sub>3</sub>或Cs，R为C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>，n≥1；X为Cl、Br或I中的至少一个；B为铅(Pb)、锗(Ge)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、锰(Mn)或锑(Sb)中的至少一个。该发光二极管可降低发光器件的驱动电压，降低发光器件的功耗，提升器件寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN105870349A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610395285.2 | 申请日期 | 2016.06.06 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 陈卓;李延钊 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的功能层，所述功能层包括空穴传输层和电子传输层至少之一和发光层，所述空穴传输层和所述电子传输层至少之一包括钙钛矿结构的材料，所述钙钛矿结构的材料通式为ABX<sub>3</sub>，其中，A为RNH<sub>3</sub>或Cs，R为C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>，n≥1；X为Cl、Br或I中的至少一个；B为铅(Pb)、锗(Ge)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、锰(Mn)或锑(Sb)中的至少一个。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||