| 发明名称 | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管中的板状结构是金属遮光层，对像素区域的开口率有很大的影响，使像素区域的开口率明显降低的问题。本发明的薄膜晶体管，包括栅极、半导体层以及与所述半导体层连接的漏极和源极，至少部分所述漏极与所述半导体层重叠设置。 | ||
| 申请公布号 | CN105870197A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610251879.6 | 申请日期 | 2016.04.21 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 周焱;顾可可;毛大龙;但艺;吴海龙 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 汪源;陈源 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、半导体层以及与所述半导体层连接的漏极和源极，其特征在于，至少部分所述漏极与所述半导体层重叠设置。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||