电子阻挡层结构的生长方法及含此结构的LED外延结构

摘要

本发明公开了一种电子阻挡层结构的生长方法，包括以下步骤：步骤A、生长总厚度为10‑20nm的高Al电子阻挡层；步骤B、生长厚度为40‑60nm的p型GaN层，其中Mg的掺杂浓度为5E19‑1E20atoms/cm³；步骤C、再升高温度至930‑950℃，反应腔压力维持在100‑500torr，持续生长厚度为50‑200nm的p型AlGaN层。本发明还公开了一种包括上述电子阻挡层结构的LED外延结构。本发明采用独特的电阻阻挡层结构，不仅能保持传统电子阻挡层减少电子溢出量子阱的优势，还优化了Mg的浓度分布，提高了空穴浓度和注入效率，从而提升LED芯片的亮度，降低LED芯片电压，改善LED芯片的光电特性。

主权项

一种电子阻挡层结构的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、在温度为800‑850℃、反应腔压力维持在100‑500torr的条件下持续生长总厚度为10‑20nm的高Al电子阻挡层(6.1)，所述高Al电子阻挡层(6.1)的材料为AlGaN单层或AlInGaN单层或AlGaN与GaN、InGaN、AlInGaN的超晶格结构或AlInGaN与GaN、InGaN、AlGaN的超晶格结构，其中：Al的掺杂浓度为1E20‑3E20atoms/cm³，In的掺杂浓度为5E17‑1E20atoms/cm³；步骤B、降温度至750‑800℃，反应腔压力控制在100‑500torr，生长厚度为40‑60nm的p型GaN层(6.2)，其中：Mg的掺杂浓度为5E19‑1E20atoms/cm³；步骤C、再升高温度至930‑950℃，反应腔压力维持在100‑500torr，持续生长厚度为50‑200nm的p型AlGaN层(6.3)，所述p型AlGaN层(6.3)的材料为AlGaN单层或AlGaN/GaN超晶格结构，其中：Al的掺杂浓度为1E20‑3E20atoms/cm³，Mg的掺杂浓度为5E17‑1E20atoms/cm³。