发明名称 | 用于高真空条件下的碳化硅吸波组件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,包括结构化基底,所述结构化基底设有吸波劈尖。本发明为无机非金属材料,通过模具成型,再经过高温烧结,具有很低的挥发性,能够满足真空使用要求,同时具有良好的导热性。通过调整氧化铝颗粒和石墨的比例,优化设计方锥的高度和角度,使得碳化硅吸波组件的吸波性能在目标频段内达到最优。通过优化结构设计,调整氧化铝颗粒和石墨比例,具有良好的吸波性能的同时又具有优良的导热性能,可以进行精确的外热流模拟,可用于耐真空可控温微波暗室的建设。 | ||
申请公布号 | CN103762428B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
申请号 | CN201310642611.1 | 申请日期 | 2013.12.03 |
申请人 | 上海卫星装备研究所 | 发明人 | 王浩;李艳臣;季琨;陈丽;彭光东 |
分类号 | H01Q17/00(2006.01)I | 主分类号 | H01Q17/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 郭国中 |
主权项 | 一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,其特征在于,包括结构化基底和吸波劈尖,所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体;所述结构化基底为多个方锥组合形成的阵列结构;所述多个方锥包括热电偶方锥和普通方锥,所述普通方锥为实心结构,所述热电偶方锥内部设有热电偶安装孔;所述二次压铸,具体是指:结构化基底和吸波劈尖分别通过压铸成型,然后再经过二次压铸成为整体,经过高温烧结而成;采用的材质为:通过在碳化硅中掺入氧化铝及石墨颗粒,经过高温烧结制得。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区华宁路251号 |