发明名称 | 基于SOI的TSV高频立体集成互连结构 | ||
摘要 | 本发明提供了一种基于SOI的TSV高频立体集成互连结构,内部圆柱形TSV通孔与外部环形TSV通孔同轴,且两者之间填充苯并环丁烯树脂绝缘胶;外部环形TSV通孔由外向内依次为二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、铜种子层和中空铜柱,内部圆柱形TSV通孔由外向内也依次由二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、铜种子层和圆柱形铜柱组成;所述的二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、种子层、中空铜柱和铜柱都纵向贯穿SOI衬底的顶层硅、二氧化硅埋氧层和底层硅。本发明极大的节约芯片面积,且信号彼此间绝缘隔离,降低漏电损耗和噪声耦合串扰,提高信号传输质量,增加立体集成器件可靠性,可满足高频立体集成器件抗辐射加固的应用需求。 | ||
申请公布号 | CN103633045B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
申请号 | CN201310542056.5 | 申请日期 | 2013.11.04 |
申请人 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 发明人 | 刘松;单光宝;谢成民 |
分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人 | 顾潮琪 |
主权项 | 一种基于SOI的TSV高频立体集成互连结构,包括内部圆柱型TSV通孔和外部环形TSV通孔,其特征在于:所述的内部圆柱形TSV通孔与外部环形TSV通孔同轴,且两者之间填充厚度为W3的苯并环丁烯树脂绝缘胶;所述的外部环形TSV通孔由外向内依次为厚度D1的二氧化硅绝缘层、厚度D2的阻挡层TaN、厚度D3的铜种子层、宽度W2的中空铜柱、厚度D3的铜种子层、厚度D2的阻挡层TaN和厚度D1的二氧化硅绝缘层,D2:D3=1:1~1:1.5;所述的内部圆柱形TSV通孔由外向内也依次由厚度D1的二氧化硅绝缘层、厚度D2的阻挡层TaN、厚度D3的铜种子层和直径为W1的圆柱形铜柱组成;所述的二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、种子层、中空铜柱和铜柱都纵向贯穿SOI衬底的顶层硅、二氧化硅埋氧层和底层硅;所述的厚度<img file="FDA0001008591310000011.GIF" wi="905" he="126" /> | ||
地址 | 710000 陕西省西安市高新路28号 |