发明名称 基于SOI的TSV高频立体集成互连结构
摘要 本发明提供了一种基于SOI的TSV高频立体集成互连结构,内部圆柱形TSV通孔与外部环形TSV通孔同轴,且两者之间填充苯并环丁烯树脂绝缘胶;外部环形TSV通孔由外向内依次为二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、铜种子层和中空铜柱,内部圆柱形TSV通孔由外向内也依次由二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、铜种子层和圆柱形铜柱组成;所述的二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、种子层、中空铜柱和铜柱都纵向贯穿SOI衬底的顶层硅、二氧化硅埋氧层和底层硅。本发明极大的节约芯片面积,且信号彼此间绝缘隔离,降低漏电损耗和噪声耦合串扰,提高信号传输质量,增加立体集成器件可靠性,可满足高频立体集成器件抗辐射加固的应用需求。
申请公布号 CN103633045B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201310542056.5 申请日期 2013.11.04
申请人 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 发明人 刘松;单光宝;谢成民
分类号 H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 顾潮琪
主权项 一种基于SOI的TSV高频立体集成互连结构,包括内部圆柱型TSV通孔和外部环形TSV通孔,其特征在于:所述的内部圆柱形TSV通孔与外部环形TSV通孔同轴,且两者之间填充厚度为W3的苯并环丁烯树脂绝缘胶;所述的外部环形TSV通孔由外向内依次为厚度D1的二氧化硅绝缘层、厚度D2的阻挡层TaN、厚度D3的铜种子层、宽度W2的中空铜柱、厚度D3的铜种子层、厚度D2的阻挡层TaN和厚度D1的二氧化硅绝缘层,D2:D3=1:1~1:1.5;所述的内部圆柱形TSV通孔由外向内也依次由厚度D1的二氧化硅绝缘层、厚度D2的阻挡层TaN、厚度D3的铜种子层和直径为W1的圆柱形铜柱组成;所述的二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、种子层、中空铜柱和铜柱都纵向贯穿SOI衬底的顶层硅、二氧化硅埋氧层和底层硅;所述的厚度<img file="FDA0001008591310000011.GIF" wi="905" he="126" />
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