一种阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板金属层稳定性差的问题。一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅金属层和源漏金属层，所述栅金属层和/或所述源漏金属层的下面设置有栅底层保护层和/或源漏底层保护层。

主权项

一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅金属层和源漏金属层，其特征在于，所述栅金属层和/或所述源漏金属层的下面设置有栅底层保护层和/或源漏底层保护层；所述栅底层保护层包括：第一栅底层保护层、第二栅底层保护层以及第三栅底层保护层；形成所述第一栅底层保护层的材料包括：氮化硅、硅化钽；形成所述第二栅底层保护层的材料包括：氮化钽、硅化钽以及氮化钽和硅化钽的叠层材料；形成所述第三栅底层保护层的材料包括：钽、钽合金以及钽和钽合金的叠层材料；形成所述栅金属层的材料包括：铜以及铜合金；所述源漏底层保护层包括：第一源漏底层保护层、第二源漏底层保护层以及第三源漏底层保护层；形成所述第一源漏底层保护层的材料包括：氮化镓、氮氧化镓、氮化锌、氮氧化锌、氮化铟、氮氧化铟、氮化锡、氮氧化锡以及其中的任意两种或多种材料的叠层材料；形成所述第二源漏底层保护层的材料包括：氮化钽；形成所述第三源漏底层保护层的材料包括：钽、钽合金以及钽和钽合金的叠层材料；形成所述源漏金属层的材料包括：铜以及铜合金；所述第一源漏保护层底层的厚度为0.5‑20纳米；所述第二源漏底层保护层的厚度为0.5‑100纳米所述第三源漏底层保护层的厚度为0.5‑20纳米。