| 发明名称 | 一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料及其制备方法，通过水热法制备得到长径比为20‑50的BNT单晶纳米线材料，将其用多巴胺进行化学修饰后再与偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物复合，得到介电复合材料。该介电复合材料实现了在低陶瓷相含量的条件下，获得高达458kV/mm的抗击穿电场，比纯聚合物P(VDF‑HFP)抗击穿电场398kV/mm更高，实现了12.7J/cm<sup>3</sup>的高能量密度。 | ||
| 申请公布号 | CN105860376A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610268357.7 | 申请日期 | 2016.04.27 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 张斗;周学凡;罗行;吴忠;周科朝 |
| 分类号 | C08L27/16(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K7/08(2006.01)I;C01G23/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C08L27/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人 | 刘擎天 |
| 主权项 | 一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料的制备方法，其特征在于，通过水热法制备得到长径比为20‑50的BNT单晶纳米线材料，将其用多巴胺进行化学修饰后再与偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物复合，得到介电复合材料。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号 | ||