发明名称 |
一种在高真空状态下可调节离子源位置的装置及调节方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在高真空状态下可调节离子源位置的装置及调节方法,包括设置在壳体中的离子源,所述壳体内部中空且一端开口,在壳体中设置有伸缩调节装置,且伸缩调节装置完全封闭壳体的开口端,伸缩调节装置与离子源连接,且伸缩调节装置能够沿着壳体的轴线方向带动离子源在壳体中移动。该装置及方法结构牢固,能够对离子源的整体长度进行精确调节,调节范围大,并且离子源上的部件也容易拆卸更换,降低更换成本。 |
申请公布号 |
CN105873351A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610412969.9 |
申请日期 |
2016.06.14 |
申请人 |
中国工程物理研究院流体物理研究所 |
发明人 |
刘尔祥;龙继东;陈宇航;刘平 |
分类号 |
H05H13/00(2006.01)I;H05H7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05H13/00(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
冯龙 |
主权项 |
一种在高真空状态下可调节离子源位置的装置,包括设置在壳体(20)中的离子源,所述壳体(20)内部中空且一端开口,其特征在于,在壳体(20)中设置有伸缩调节装置,且伸缩调节装置完全封闭壳体(20)的开口端,伸缩调节装置与离子源连接,且伸缩调节装置能够沿着壳体(20)的轴线方向带动离子源在壳体(20)中移动。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市绵山路64号 |