用于制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及用于制造半导体装置的方法。本发明的目的在于减少实际工作的不良影响且减少由于杂波所引起的不良影响。本发明包括：电极；电连接到所述电极的布线；在平面视上重叠于所述电极的氧化物半导体层；在截面视上设置在所述电极与所述氧化物半导体层之间的绝缘层；以及通过所述布线从所述电极输入信号且根据输入的所述信号被控制工作的驱动电路。使用氧化物半导体层、绝缘层及布线或电极形成电容元件。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括：在衬底上形成第一导电层和第二导电层；在所述第一导电层和所述第二导电层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层在所述第一导电层和所述第二导电层上连续地延伸；在所述氧化物半导体层上形成第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层上形成第三导电层和第四导电层，其中，所述第三导电层、所述第一导电层和所述氧化物半导体层互相重叠，其中，所述第四导电层、所述第二导电层和所述氧化物半导体层互相重叠，其中，所述第三导电层通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的开口接触所述第一导电层，且其中，所述第四导电层通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的开口接触所述第二导电层。