| 发明名称 | 具有金属栅极的半导体元件与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102737971B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201110094323.8 | 申请日期 | 2011.04.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄光耀;林俊贤;施宏霖;廖俊雄;李志成;徐韶华;陈奕文;陈正国;曾荣宗;林建廷;黄同雋;杨杰甯;蔡宗龙;廖柏瑞;赖建铭;陈映璁;马诚佑;洪文瀚;许哲华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法，包括：提供基底，该基底上定义有第一有源区域和第二有源区域；于该基底上形成栅极介电层；于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于该功函数金属层进行氧处理；于该氧处理之后完全移除在该第二有源区域的该功函数金属层；于该功函数金属层上形成第二功函数金属层；以及于该第二功函数金属层上形成导电层，其中在该多层堆叠结构中，靠近该栅极介电层的一侧的氧原子浓度小于远离该栅极介电层的一侧的氧原子浓度，以及其中，该多层堆叠结构中的至少两层具有氧原子。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||