发明名称 |
采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法 |
摘要 |
本发明公开了采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法,涉及集成电路制造工艺领域。该方法为:建立电容测试结构;将所述测试结构放置于监控产品测试位置,在所述电容测试结构的表面沉积掩模层,根据前段工艺进行流片;采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀;采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测,判断所述电容测试结构是否存在桥连,若是则存在缺陷,若否则电容测试结构不存在缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷,为研发阶段良率提升提供数据参考,缩短研发周期;为产品提供监控手段,缩短影响区间,为产品良率提供保障。 |
申请公布号 |
CN103943527B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201410060338.6 |
申请日期 |
2014.02.21 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法,其特征在于,包括下述步骤:步骤1.建立电容测试结构;步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置,在所述电容测试结构的表面沉积掩模层,根据前段工艺进行流片;步骤3.采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀;步骤4.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测,判断所述电容测试结构是否存在桥连,若是则存在缺陷,若否则所述电容测试结构不存在缺陷。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |