堆叠半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种堆叠半导体器件，包括第一衬底。多层互连件设置在第一衬底上方。金属部分设置在多层互连件上方。第一接合部件位于金属部分上方。第二衬底具有正面。腔在第二衬底中从正面延伸到深度D。腔具有内表面。停止层设置在腔的内表面上方。可移动结构设置在第二衬底的正面上方并悬于腔上。可移动结构包括介电膜、位于介电膜上方的金属单元以及位于金属单元上方的覆盖介电层。第二接合部件位于覆盖介电层上方并接合至第一接合部件。第二接合部件延伸穿过覆盖介电层并电连接至金属单元。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。

主权项

一种形成堆叠半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有正面的第一衬底；从所述正面对所述第一衬底的一部分进行蚀刻以形成腔；用牺牲材料填充所述腔；在所述牺牲材料以及所述第一衬底的正面的上方形成柔性介电膜；在所述柔性介电膜上方形成金属单元；在所述金属单元和所述柔性介电膜上方形成覆盖介电层；对部分所述覆盖介电层进行蚀刻以露出所述金属单元；形成位于所述覆盖介电层上方并与所述金属单元接触的第一接合部件；对所述覆盖介电层和所述柔性介电膜的一部分进行蚀刻，从而形成贯穿孔以露出部分所述牺牲材料；通过所述贯穿孔从所述腔中去除所述牺牲材料，从而形成悬于所述腔上方的可移动结构，所述可移动结构包括所述柔性介电膜、所述金属单元和所述覆盖介电层；提供第二衬底，具有设置在所述第二衬底上方的至少一个晶体管；形成位于所述至少一个晶体管上方并电连接至所述至少一个晶体管的多层互连件；在所述多层互连件上方形成金属部分；在部分所述金属部分上方形成第二接合部件；以及将所述第二接合部件接合至所述第一接合部件。