一种基于MEMS工艺的集成阵列式薄膜气体流量传感器及其加工方法

摘要

本发明公开一种基于MEMS工艺的集成阵列式薄膜气体流量传感器及其加工方法：从上到下依次包括薄膜掩蔽层、薄膜电阻结构、薄膜悬空隔离层和硅基底层，硅基底层的位置中开设有带有反应刻蚀的沟槽，薄膜悬空隔离层衬于硅基底层的上方，薄膜悬空隔离层上的四个方位角处均设有一个正方形的开口窗；薄膜电阻结构位于薄膜悬空隔离层的外表面，由n×n个相同的敏感测量单元构成并呈集成阵列式的薄膜电阻结构，每个敏感测量单元均由薄膜测温电阻和薄膜加热电阻构成。本发明兼具体积小，重量轻，成本低，可靠性高，功耗小，加工工艺方便等优点，控制敏感测量单元的数量能够控制传感器的测量精度，使其能够应对不同场合的需求，形成系列化产品。

主权项

一种基于MEMS工艺的集成阵列式薄膜气体流量传感器，其特征在于：从上到下依次包括薄膜掩蔽层、薄膜电阻结构、薄膜悬空隔离层和硅基底层，所述硅基底层的中央位置中开设有带有反应刻蚀的沟槽，所述薄膜悬空隔离层衬于硅基底层的上方，薄膜悬空隔离层上的四个方位角处均设有一个正方形的开口窗；所述薄膜电阻结构位于薄膜悬空隔离层的外表面，由n×n个相同的敏感测量单元构成并呈集成阵列式的薄膜电阻结构，每个敏感测量单元均由薄膜测温电阻和薄膜加热电阻构成，薄膜加热电阻位于相应敏感测量单元的中心部位并呈回形或圆形分布，薄膜测温电阻沿对应薄膜加热电阻的延展方向分布且位于薄膜加热电阻两侧；所述薄膜掩蔽层位于整个薄膜电阻结构的外表面。