| 摘要 |
반도체 기판의 타면측에 이면측 전극을 형성하는 공정과, 수광면측 전극 형성 전의 어느 하나의 시점에서 반도체 기판의 일면측의 표면에 역피라미드 형상의 오목부를 갖는 요철 구조를 형성하는 공정을 가지며, 반도체 기판의 일면측에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과, 상대적으로 가공 처리 효율이 높은 방법에 의해 소망하는 개구 형상에 가깝고 목표로 하는 개구 치수보다도 작은 복수의 제1 개구부를 보호막에 형성하는 제1 가공 공정과, 상대적으로 가공 정밀도가 높은 방법에 의해 목표로 하는 개구 치수까지 제1 개구부를 넓혀서 제2 개구부를 보호막에 형성하는 제2 가공 공정과, 제2 개구부를 통하여 제2 개구부의 하부 영역의 반도체 기판의 이방성 웨트 에칭을 행함에 의해 역피라미드 형상의 오목부를 갖는 요철 구조를 반도체 기판의 일면측에 형성하는 에칭 공정을 포함한다. |
