| 发明名称 | 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯的生长方法，包括：提供衬底；在衬底上形成单晶的金属硅化物层；采用化学气相沉积的方法，在金属硅化物层上生长石墨烯层。金属硅化物层能够承受长时间的高温环境，可适应于石墨烯的生长工艺，同时，在生长石墨烯之后，不会存在金属污染的问题，便于石墨烯的转移和进一步的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105845543A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510015559.6 | 申请日期 | 2015.01.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;韩晓莉 |
| 主权项 | 一种石墨烯的生长方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在衬底上形成单晶的金属硅化物层；采用化学气相沉积的方法，在金属硅化物层上生长石墨烯层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||