发明名称 |
一种单片集成两段式DFB半导体激光器及阵列 |
摘要 |
本发明公开了一种单片集成两段式DFB半导体激光器及阵列,其中,该两段式DFB半导体激光器包括:无源反射光栅区和DFB半导体激光器区;无源反射光栅区和DFB半导体激光器区共用同一段波导结构,并集成在同一衬底或同一芯片上;无源反射光栅区和DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构,外延结构依次包括:n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层;外延结构外层还包括正负电极。该两段式DFB半导体激光器利用无源反射光栅的反射特性和选频特性可同时提高DFB半导体激光器的输出效率和边模抑制比。 |
申请公布号 |
CN105846312A |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201510014192.6 |
申请日期 |
2015.01.12 |
申请人 |
南京大学(苏州)高新技术研究院 |
发明人 |
张云山 |
分类号 |
H01S5/22(2006.01)I;H01S5/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 |
代理人 |
郭振兴;王正茂 |
主权项 |
一种单片集成两段式DFB半导体激光器,其特征在于,包括:无源反射光栅区和DFB半导体激光器区;所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区共用同一段波导结构,并集成在同一衬底或同一芯片上;所述无源反射光栅区无激光振荡,用于为所述DFB半导体激光器区提供反射;所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构,所述外延结构依次包括:n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层;所述外延结构的距离n型衬底较近的一面设有负电极,距离绝缘层较近的一面设有正电极,且与所述正电极相对应的区域不存在绝缘层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市独墅湖高等教育区仁爱路150号 |