半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置(100)在由碳化硅构成的n型的半导体基板(1)上具有n型的半导体层(2)、p型的基区(4)、n型的源区(6)、p型的接触区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)和源电极(13)。半导体装置(100)在半导体基板(1)的背面具有漏电极(12)。在栅电极(10)的表面上设有层间绝缘膜(11)。层间绝缘膜(11)具有多层，该多层中的至少一层是由氮化硅膜(11b)构成。通过这样设置能够抑制半导体装置的特性的劣化。另外，能够抑制制造时的工序数量的增加。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，由第一导电型的碳化硅构成；第一导电型的半导体层，设置于所述半导体基板的第一主面上，且杂质浓度比所述半导体基板低；第二导电型的基区，设置于所述半导体层的表面上；第一导电型的源区，设置于所述基区的表面区；第二导电型的接触区，设置于所述基区的表面区，且杂质浓度比所述基区高；源电极，与所述源区和所述接触区接触；栅绝缘膜，设置于所述基区的被所述半导体层和所述源区夹住的区域的表面上；栅电极，设置于所述栅绝缘膜的表面上；层间绝缘膜，设置于所述栅电极的表面上；以及漏电极，设置于所述半导体基板的第二主面上，其中，所述层间绝缘膜具有多层，且所述多层中的至少一层由氮化硅膜构成。