使用独立栅极鳍式场效应晶体管的稳定静态随机存取存储器位单元设计

摘要

使用独立栅极鳍式场效应晶体管FinFET架构的稳定SRAM单元在例如读取静态噪声容限RSNM和写入噪声容限WNM等装置参数方面提供优于常规SRAM单元的改进。示范性SRAM单元包括一对存储节点、一对位线、一对上拉装置、一对下拉装置和一对通过门装置。第一控制信号和第二控制信号经配置以调整所述通过门装置的驱动强度，且第三控制信号经配置以调整所述上拉装置的驱动强度，其中所述第一控制信号是以与位线方向正交的方式投送，且所述第二和第三控制信号是在与所述位线方向相同的方向上投送。通过在读取和写入操作期间调整所述上拉装置和通过门装置的驱动强度来改进RSNM和WNM。

主权项

一种静态随机存取存储器SRAM单元，其包括：下拉装置，其经配置以将存储节点耦合到负电源电压，其中所述下拉装置中的第一下拉装置的后栅极和所述第一下拉装置的前栅极经配置以接收共同输入；通过门装置，其经配置以将所述存储节点耦合到位线，其中所述通过门装置中的每一通过门装置的前栅极经配置以接收第一控制信号，其中所述通过门装置中的每一通过门装置的后栅极经配置以接收第二控制信号，且其中所述通过门装置的第一驱动强度是基于所述第一控制信号和所述第二控制信号的；及上拉装置，其经配置以将所述存储节点耦合到正电源电压，其中所述上拉装置中的每一上拉装置的后栅极经配置以接收第三控制信号，其中所述上拉装置的第二驱动强度是基于所述第三控制信号的，且其中所述共同输入、所述第一控制信号、所述第二控制信号以及所述第三控制信号是不同的信号。