阻变存储器及其操作方法和制造方法

摘要

提供了一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹在相邻的叠层结构之间；以及多个阻变材料层，每个阻变材料层形成在相应的一个梳状金属层与所述衬底隔离层之间以及所述相应的一个梳状金属层与所述多个叠层结构之间。还提供了该阻变存储器的操作方法和制造方法。

主权项

一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹在相邻的叠层结构之间，所述梳状金属层包括实心柱状的梳齿和连接每个梳齿的顶部的横梁；多个阻变材料层，每个阻变材料层形成在相应的一个梳状金属层与所述衬底隔离层之间以及所述相应的一个梳状金属层与所述多个叠层结构之间；多条字线，通过将所述多个梳状金属层分别经由一个字线选通晶体管引出来形成所述多条字线；多条位线，每个叠层结构中的每个金属层在一端与一个位线选通晶体管连接，与相对于衬底表面具有相同高度的金属层相连接的多个位线选通晶体管的源极连接到一条相应的位线；以及多条选择线，与同一叠层结构中的金属层相连的位线选通晶体管的栅极连接到一条相应的选择线。