| 发明名称 | 一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法，包括：在反应容器中先加入浓氢氟酸，再缓慢加入浓硝酸，搅拌均匀后密封静置10‑30分钟，得腐蚀液；将碳化硅试样浸没在所得腐蚀溶液中，在150‑200℃下腐蚀12‑24小时。本方法在低温下对固相烧结碳化硅陶瓷腐蚀，使经过腐蚀后晶粒衬度明显，晶界清洗，同时避免了高温腐蚀引入的热缺陷，高能刻蚀引入的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105837259A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610231407.4 | 申请日期 | 2016.04.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 黄政仁;刘泽华;闫永杰;张辉;姚秀敏;刘学建;蔡平;赵静 |
| 分类号 | C04B41/91(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/91(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法，其特征在于，包括：在反应容器中先加入浓氢氟酸，再缓慢加入浓硝酸，搅拌均匀后密封静置10‑30分钟，得腐蚀液；将碳化硅试样浸没在所得腐蚀溶液中，在150‑200℃下腐蚀12‑24小时。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||