发明名称 |
一种SRAM单元、半导体器件和电子装置 |
摘要 |
本发明提供一种SRAM单元、半导体器件和电子装置,涉及半导体技术领域。该SRAM单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管及第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管;其中,第三PMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的源极相连并连接至电源电压Vdd,漏极与第一PMOS晶体管的源极相连,栅极与第三NMOS晶体管的栅极相连并连接至字线;第五NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极相连并连接至电源电压Vss,漏极与第一NMOS晶体管的源极相连,栅极与另一字线相连。该SRAM单元由于包括第三PMOS晶体管和第五NMOS晶体管,因此具有更好的写能力。该半导体器件包括上述SRAM单元,同样具有上述优点。该电子装置包括上述半导体器件,同样具有上述优点。 |
申请公布号 |
CN105845679A |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201510018694.6 |
申请日期 |
2015.01.14 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张弓 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种SRAM单元,其特征在于,包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)以及第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)和第五NMOS晶体管(N5),其中,所述第一PMOS晶体管与所述第一NMOS晶体管构成第一CMOS晶体管(101),所述第二PMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管构成第二CMOS晶体管(102),其中所述第一CMOS晶体管的输入端与所述第二CMOS晶体管的输出端相连,所述第一CMOS晶体管的输出端与所述第二CMOS晶体管的输入端相连;所述第三PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的源极相连并连接至电源电压Vdd,所述第三PMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的源极相连,所述第三PMOS晶体管的栅极与所述第三NMOS晶体管的栅极相连并连接至字线;所述第三NMOS晶体管的源极与位线相连,所述第三NMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极相连;所述第四NMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的漏极相连,所述第四NMOS晶体管的栅极与字线相连,所述第四NMOS晶体管的漏极与另一位线相连;所述第五NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的源极相连并连接至电源电压Vss,所述第五NMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的源极相连,所述第五NMOS晶体管的栅极与另一字线相连。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |