| 发明名称 | 具有成形衬底的半导体发光器件和制造所述器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例包括衬底（10）和生长在衬底上的半导体结构（12）。半导体结构包括设置在n型区（16）和p型区（20）之间的发光层（18）。衬底包括第一侧壁（30）和第二侧壁（32）。第一侧壁和第二侧壁设置在相对于半导体结构的主表面的不同角度处。反射性层（34）设置在第一侧壁（30）之上。 | ||
| 申请公布号 | CN105849915A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201480072447.8 | 申请日期 | 2014.12.12 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | T.洛佩斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/46(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孙慧;景军平 |
| 主权项 | 一种器件，包括：衬底；以及设置在衬底上的半导体结构，半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层；其中：衬底包括第一侧壁和第二侧壁；第一侧壁和第二侧壁设置在相对于半导体结构的主表面的不同角度处；并且反射性层设置在第一侧壁之上。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||