发明名称 | 减少具有电路的结构中的翘曲 | ||
摘要 | 为了减少晶片的至少一个区域的翘曲,形成应力/翘曲管理层(810)以使现有翘曲过平衡并改变方向。例如,如果该区域的中间相对于该区域的边界向上膨胀,则该区域的中间可能变得向下膨胀,或反之亦然。然后对应力/翘曲管理层进行处理以减小过平衡。例如,可以在选定位置处将应力/管理层从晶片剥离,或者可以在该层中形成凹部,或者可以在该层中引起相变。在其他实施例中,该层是钽铝层,其可以使或可以不使翘曲过平衡;据信该层由于依赖晶相的应力而减少了翘曲,该应力动态地调节以适应温度变化,从而减少翘曲(可能通过热循环来保持晶片平整)。还提供了其他特征。 | ||
申请公布号 | CN105849891A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
申请号 | CN201480067772.5 | 申请日期 | 2014.12.02 |
申请人 | 伊文萨思公司 | 发明人 | C·E·尤佐 |
分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;张昊 |
主权项 | 一种制造方法,包括:获得包括电路的第一结构,所述第一结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面和第二表面中的至少一者包括翘曲的第一区域;在所述第一表面上形成第一层以使所述第一区域的翘曲过平衡;以及处理所述第一层以减少所述第一区域的翘曲。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |