| 发明名称 | 基于异质结的HEMT晶体管 | ||
| 摘要 | 异质结结构，也称之为异质结构，尤其适用于高电子迁移率晶体管(HEMT)，其包括基底；设置在基底上的缓冲层，它为基于来自第III列氮化物具有大带隙的半导体材料，所述缓冲层(1)非意欲掺杂n型载流子；设置于缓冲层之上的阻挡层，它为基于来自第III列氮化物具有大带隙Eg2的半导体材料，其中阻挡层的带隙Eg2的宽度小于缓冲层的带隙Eg1的宽度。其中，该异质结结构还额外地包括意欲掺杂的区域，它为与缓冲层的材料相同的基于来自第III列的氮化物的材料，在平行于基底平面的平面中并且在沿着正交于基底平面的方向上具有预定厚度，其中所述区域包含在缓冲层中。 | ||
| 申请公布号 | CN105849911A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201480067101.9 | 申请日期 | 2014.10.10 |
| 申请人 | 国家科学研究中心;黎巴嫩大学 | 发明人 | 弗雷德里克·莫兰乔;萨利姆·哈马迪;比拉尔·贝杜恩 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人 | 张轶 |
| 主权项 | 尤其适用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体材料的异质结结构，包括：平面基底(W)；缓冲层(1)，设置在基底(W)上，它为基于来自第III列氮化物具有大带隙Eg1的半导体材料，其中所述缓冲层(1)并不意欲掺杂n型载流子；阻挡层(2)，设置在缓冲层(1)之上，它为基于来自第III列氮化物具有大带隙Eg2的半导体材料，其中所述阻挡层(2)的带隙Eg2的宽度小于缓冲层(1)的带隙Eg1的宽度；意欲掺杂的区域(3)，它为与缓冲层(1)的材料相同的基于来自第III列的氮化物的材料，在平行于基底平面的平面中具有预先定义的长度(Lo3)和宽度(La3)以及在沿着与基底的平面正交的方向上具有预先定义的厚度(dC3)，其中所述意欲掺杂的区域(3)包含在缓冲层(1)中。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||