发明名称 半导体装置的制造方法
摘要 提供可制造空隙少的半导体装置的半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法,其包括如下工序:层叠体具备芯片安装基板、在芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及具备与热固性树脂片接触的部和在部的周边配置的周边部的膜,将层叠体的周边部按压于与芯片安装基板接触的载台,由此形成具备载台和膜的密闭容器的工序;和使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力,由此利用热固性树脂片覆盖半导体芯片,并且在基板与半导体芯片的间隙中填充热固性树脂片的工序。
申请公布号 CN105849880A 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201480070975.X 申请日期 2014.12.22
申请人 日东电工株式会社 发明人 志贺豪士;盛田浩介;石坂刚;饭野智绘;石井淳
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 葛凡
主权项 一种半导体装置的制造方法,其包括如下工序:层叠体具备芯片安装基板、在所述芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及具备与所述热固性树脂片接触的中央部和在所述中央部的周边配置的周边部的膜,所述芯片安装基板具备基板和倒装芯片安装于所述基板上的半导体芯片,将所述层叠体的所述周边部按压于与所述基板接触的台座,由此形成具备所述台座和所述膜的密闭容器的工序;和使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力,由此利用所述热固性树脂片覆盖所述半导体芯片,并且在所述基板与所述半导体芯片的间隙中填充所述热固性树脂片的工序。
地址 日本大阪府