硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构及其制备方法

摘要

本发明属于光电集成以及光电探测技术领域，公开了一种硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，包括：衬底、波导、上包层和探测器；衬底为硅衬底，其上形成波导，波导上形成上包层，上包层上通过去薄形成凹陷，凹陷内形成波导本体电极，探测器光敏面使用导光树脂层与波导耦合，波导中光的传输方向与探测器光的引出方向垂直，探测器电极与波导本体电极通过导电树脂层相连。本发明通过采用树脂粘接的方式，替代了传统光电集成方法所使用的半导体工艺，制作成本降低；同时垂直耦合方法使用波导上表面探测光强，探测距离长，耦合精度要求较小；相对于出光面探测的方案，将光电子集成器件从平面结构升级为三维结构，并且耦合可靠性更高。

主权项

一种硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，其特征在于，包括：衬底(1)、波导(2)、上包层(3)和探测器(4)；所述衬底(1)为硅衬底，其上形成波导(2)，波导(2)上形成上包层(3)，上包层(3)上待形成探测器(4)的位置通过去薄上包层(3)而形成凹陷，凹陷内形成波导本体电极(5)，探测器(4)光敏面使用导光树脂层(6)与波导(2)耦合，波导(2)中光的传输方向与探测器(4)光的引出方向垂直，探测器电极与波导本体电极(5)通过导电树脂层(7)相连。