改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法

摘要

一种改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、Al_xGa_1-xN插入层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；其特征在于，在GaN非掺杂层后插入一层Al_xGa_1-xN层，当Al_xGa_1-xN层插入外延结构以后，在生长GaN非掺杂层时，该GaN非掺杂层流量相对不插入Al_xGa_1-xN层的情况减少10%~30%；在插入Al_xGa_1-xN层以后生长N型GaN层时，该N型GaN层流量相对不插入所述Al_xGa_1-xN层的情况减少0~20%。本发明方法可以有效提高LED外延片内波长集中度。

主权项

一种改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、Al_xGa_1‑xN插入层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；其特征在于，在所述GaN非掺杂层后插入所述Al_xGa_1‑xN层，其中0.05<x<0.25；在所述GaN非掺杂层后插入所述Al_xGa_1‑xN层的方法是：当Al_xGa_1‑xN层层插入外延结构以后，在生长GaN非掺杂层时，该GaN非掺杂层流量相对不插入Al_xGa_1‑xN层的情况减少10％～30％；在插入Al_xGa_1‑xN层以后生长N型GaN层时，该N型GaN层流量相对不插入所述Al_xGa_1‑xN层的情况减少0～20％。