| 发明名称 | 高效发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在此公开了一种高效发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：半导体堆叠结构，设置在支撑基底上，包括氮化镓基p型半导体层、氮化镓基活性层和氮化镓基n型半导体层；反射层，设置在支撑基底与半导体堆叠结构之间，其中，半导体堆叠结构包括具有截锥体形状的多个突起以及形成在突起的顶表面上的细锥体。通过这种构造，可提高具有低位错密度的半导体堆叠结构的光提取效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104285307B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201380010283.1 | 申请日期 | 2013.02.18 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 金彰渊;赵大成;南基范;金永郁;柳宗均;下山谦司;城市隆秀;栗原香 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I;H01L33/46(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;谭昌驰 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括：支撑基底；半导体堆叠结构，设置在支撑基底上，并包括氮化镓基p型半导体层、氮化镓基活性层和氮化镓基n型半导体层；以及反射层，设置在支撑基底与半导体堆叠结构之间，其中，半导体堆叠结构包括具有截锥体形状的多个突起和形成在突起的顶表面上的细锥体，其中，细锥体仅设置在突起的顶表面上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||