| 发明名称 | 制造超导带材用的离子植入 | ||
| 摘要 | 一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。 | ||
| 申请公布号 | CN105849924A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201480070509.1 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 康妮·P·王;保罗·墨菲;保罗·沙利文;卢多维克·葛特;法兰克·辛克莱;摩根·艾文斯 |
| 分类号 | H01L39/02(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L39/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨贝贝;臧建明 |
| 主权项 | 一种形成超导体带材的方法，包括：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在所述合金物质的植入之后形成金属合金。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 | ||