| 发明名称 | 一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法，包括：(1)测试衬底解析时的热偶温度T<sub>1</sub>；(2)衬底解析后降温，观察确认表面再构发生变化后，关闭用于保护衬底的束源，升温，观察并记录衬底表面再构恢复时的热偶温度T<sub>2</sub>；(3)衬底降至室温，在衬底表面覆盖非晶层，然后升温，观察并记录非晶层脱附时的热偶温度T<sub>3</sub>；(4)根据衬底在热偶温度分别为T<sub>1</sub>、T<sub>2</sub>和T<sub>3</sub>时的表面实际温度值，利用B样条函数建立衬底表面实际温度与热偶温度的关系，即可。本发明可以精确获得分子束外延中衬底表面的实际温度，具有快速、简便、准确的特点，对于研究分子束外延材料生长动力学和精确控制微纳结构材料的生长具有重要的实际应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN105841844A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610172703.1 | 申请日期 | 2016.03.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 顾溢;张永刚 |
| 分类号 | G01K15/00(2006.01)I | 主分类号 | G01K15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法，包括：(1)测试衬底解析时的热偶温度T<sub>1</sub>；(2)衬底解析后降温至200‑300℃，观察确认表面再构发生变化后，关闭用于保护衬底的束源，升温，观察并记录衬底表面再构恢复时的热偶温度T<sub>2</sub>；(3)衬底降至室温，在衬底表面覆盖一层非晶层，然后升温，观察并记录非晶层脱附时的热偶温度T<sub>3</sub>；(4)根据衬底在热偶温度分别为T<sub>1</sub>、T<sub>2</sub>和T<sub>3</sub>时的表面实际温度值，利用B样条函数建立衬底表面实际温度与热偶温度的关系，即可。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||