失效点的定位方法及芯片的失效分析方法

摘要

本申请提供了一种失效点的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括衬底和位于衬底的器件，该定位方法包括：对芯片的背面进行减薄处理至接近器件；对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件；以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描，以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域，从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时，待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉，减少了表面电荷对器件表面电势的影响，进而能够精确地获得器件中失效点的位置。

主权项

一种失效点的定位方法，用于定位芯片中失效点的位置，所述芯片包括衬底(10)和位于所述衬底中的器件，其特征在于，所述定位方法包括以下步骤：对所述芯片的背面进行减薄处理至接近所述器件；对所述减薄处理后的所述芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过所述器件；以及对所述离子束轰击处理后的所述芯片的正面进行电子束扫描，以定位所述芯片中的失效点的位置。