发明名称 |
一种SrFeO<sub>2.5</sub>磁性薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种SrFeO<sub>2.5</sub>磁性薄膜及其制备方法,将Sr(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>和Fe(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>·H<sub>2</sub>O溶解于乙二醇和醋酸酐的混合液中,搅拌均匀,得到SrFeO<sub>2.5</sub>前躯液。采用旋涂法和逐层退火的工艺,在基片上制得SrFeO<sub>2.5</sub>磁性薄膜。本发明设备要求简单,实验条件容易达到,化学组分精确可控,制备的SrFeO<sub>2.5</sub>磁性薄膜均匀性较好,具有正交结构。当测试频率为1kHz时,该薄膜的介电常数为425;当电场为100kV/cm时,该薄膜的漏电流密度为1.07×10<sup>‑4</sup>A/cm<sup>2</sup>,室温下,该薄膜的饱和磁化值为5.4emu/cm<sup>3</sup>,剩余磁化值为0.45emu/cm<sup>3</sup>。 |
申请公布号 |
CN105845436A |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201610202051.1 |
申请日期 |
2016.03.31 |
申请人 |
陕西科技大学 |
发明人 |
谈国强;乐忠威;杨玮;任慧君;夏傲 |
分类号 |
H01F41/24(2006.01)I;H01F41/22(2006.01)I;H01F10/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/24(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
岳培华 |
主权项 |
一种SrFeO<sub>2.5</sub>磁性薄膜,其特征在于:该薄膜的结构式为SrFeO<sub>2.5</sub>,该薄膜属于ICMM空间点群,具有正交结构,晶胞参数a=5.5280、b=15.5579、c=5.4424。 |
地址 |
710021 陕西省西安市未央区大学园1号 |