一种半导体器件及其制作方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有集成电路，以及围绕所述集成电路的保护环结构，其中，所述保护环结构包括层叠的若干金属层和通孔，在相邻金属层之间还形成有层间介电层；在所述保护环结构的上方形成具有开口的第一钝化层，所述开口暴露部分所述保护环结构的顶部金属层；形成填充所述开口并覆盖部分所述第一钝化层表面的保护金属层；在所述保护金属层和所述第一钝化层暴露的表面上形成第二钝化层；在所述第二钝化层内形成若干孔洞；采用有机化合物填充所述孔洞。根据本发明的方法，有效释放金属焊线对第二钝化层的额外应力作用，不会产生金属焊线与保护金属层桥接短路的问题。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有集成电路，以及围绕所述集成电路的保护环结构，其中，所述保护环结构包括层叠的若干金属层和通孔，在相邻金属层之间还形成有层间介电层；在所述保护环结构的上方形成具有开口的第一钝化层，所述开口暴露部分所述保护环结构的顶部金属层；形成填充所述开口并覆盖部分所述第一钝化层表面的保护金属层；在所述保护金属层和所述第一钝化层暴露的表面上形成第二钝化层；在所述第二钝化层内形成若干孔洞；采用有机化合物填充所述孔洞。